工作电压： 2.4V~5.5V
工作温度： -40 ~ 85℃
封装：
SC92F8003Q20R（QFN20）
SC92F8003X20U（TSSOP20）
内核： 高速1T 8051
Flash ROM：16 Kbytes Flash ROM（MOVC禁止寻址0000H~00FFH）可重复写入1万次
IAP：可code option成0K、0.5K、1K或16K
EEPROM：独立的128 bytes，可重复写入10万次，10年以上保存寿命
SRAM：内部256 bytes+外部256 bytes
系统时钟（fSYS）：
l内建高频 16MHz 振荡器（fHRC）
n作为系统时钟源时，fSYS可通过编程器选择设定为16/8/4/1.33MHz
n频率误差：跨越 (2.9V~5.5V) 及 (-20 ~ 85<span "="" >℃) 应用环境，不超过 ±1%
l内置高频晶体振荡器电路
n可外接2~16MHz振荡器
n作为系统时钟源时，fSYS可通过编程器选择使用外接晶振 /1 /2 /4 /12 这四种分频中的一种
lIC系统时钟（fSYS）对应的工作电压范围：
n>12MHz @2.9~5.5V
内建低频 128kHz LRC 振荡器：
l可作为BaseTimer的时钟源，并唤醒STOP
l可作为WDT的时钟源
l频率误差： 跨越 (4.0V ~ 5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境，频率误差不超过 ±4%
低电压复位（LVR）：
l复位电压有4级可选：分别是：4.3V、3.7V、2.9V、2.3V
l缺省值为用户烧写Code Option所选值
Flash烧写接口：
l2线烧写接口
中断（INT）：
lTimer0，Timer1，Timer2，INT0，INT1，INT2，ADC，PWM，UART，SSI，Base Timer共11个中断源
l外部中断有3个中断向量，共16个中断口，全部可设上升沿、下降沿、双沿中断
l两级中断优先级可设
数字外围：
l 18个双向可独立控制的 I/O口，可独立设定上拉电阻
l全部IO具有大灌电流驱动能力（70mA）
l11位WDT，可选时钟分频比
l3个标准 80C51 定时器Timer0、Timer1和Timer2
l7路共用周期、单独可调占空比的 10位PWM ，其中PWM0~5可分为三组输出互补带死区的PWM波形
l1个独立UART通信口（可切换IO口）
l1个UART/SPI/IIC三选一通讯口SSI（可切换IO口）
模拟外围：
l8路12位±2LSB ADC
n内建基准的 2.4V 参考电压
nADC的参考电压有2种选择，分别是 VDD以及内部2.4V
n内部一路ADC可直接测量VDD电压
n可设ADC转换完成中断
